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长江存储于2019年初量产32层堆栈闪存，2019年9月量产64层堆栈闪存，2020年4月直接跳过98层堆栈闪存，量产128层堆栈闪存。据权威机构测试，长江存储128层闪存存储密度达到8.48GB/mm2，超过三星的6.91GB/mm2、美光的7.76GB/mm2、SK海力士的8.13GB/mm2。这个密度也达到了世界先进水平。

根据TrendForce半导体研究中心1月份调查显示，2020年第一季度NAND Flash销售将维持淡季。稀土永磁概念上涨并走强，中科磁材触及20cm涨停，璎珞华、中科三环、北康科技、友研新材、盛和资源、中国稀土、广盛有色等个股涨停。

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据介绍，长江存储肩负着国家存储芯片生产的重要责任，负责3D NAND闪存设计与制造一体化。成立于2016年7月，总部位于武汉。在武汉、上海、北京等地设有研发中心，全球员工总数达4000人。其中研发工程师超过2000人。长江存储首席执行官杨士宁表示，长江存储计划在2020年提供嵌入式存储、固态硬盘（SSD）等完整解决方案产品，瞄准更多通信和系统客户。

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2020年10月，长江存储通过自主研发与国际合作相结合的方式，成功设计并制造出了中国首款3D NAND闪存。作为业界首款128层QLC规格3D NAND闪存，长江存储X2-6070拥有业界已知型号中最高的单位面积存储密度、最高的I/O传输速度和最高的单颗NAND闪存芯片容量。

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此外，2019年CIS传感器的需求爆发式增长。CIS和存储芯片的制造工艺相似。半导体工厂开始将存储产能转移到CIS芯片的生产。种种原因导致DRAM和NAND Flash芯片由供过于求转为供不应求。业界认为，2020年对于存储芯片来说是丰收的一年。

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